Ohayo Dövlət Universiteti və ABŞ Ordusunun Döyüş Bacarıqlarının İnkişafı Komandanlığının Ordu Tədqiqat Laboratoriyasının alimləri elektronların normaldan yeddi dəfə daha sürətli hərəkət etməsinə imkan verən yeni tip ultra nazik kristal yarımkeçiricilər hazırlayıblar.
32gun.az bildirir ki, aşdırma Materials Today Physics (MTP) elmi jurnalında dərc olunub.
Komanda 100 nanometr enində və ya insan saçının təxminən mində biri qalınlığında bir film yaratdı. Bunun üçün mütəxəssislər molekulların şüalarını dəqiq idarə etməyə və minimum sayda qüsurlu atomlarla material atomunu qurmağa imkan verən molekulyar şüa epitaksisi prosesindən istifadə ediblər.
Alimlər filmə elektrik cərəyanı tətbiq etdikdə, elektronların volt-saniyədə 10 min kvadrat santimetr rekord sürətlə (sm^2/Vs) hərəkət etdiyini qeyd etdilər. Müqayisə üçün qeyd edək ki, standart silikon yarımkeçiricilərdə elektronlar adətən təxminən 1400 sm^2/Vs sürətlə hərəkət edir.
Elektron hipermobilliyi daha yaxşı keçiriciliyə imkan verdi, daha səmərəli və güclü elektron cihazlara yol açıb.
Müəlliflər bildiriblər ki, potensial tətbiqlər arasında tullantı istiliyini elektrik enerjisinə çevirən geyilə bilən termoelektrik qurğular və informasiyanı emal etmək üçün yük yerinə elektron spinindən (hissəciyin öz oxunda fırlanması ilə əlaqəli kvant xassəsindən) istifadə edən "spintronik" cihazlar daxildir.
Nilay
.jpg)
.jpg)
